中国新闻社成都12月4日电(记者何)记者4日晚从中国电子科技大学获悉，九三学社成员、中国科学院院士、中国电子科技大学教授陈兴碧于当日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。
陈星弼院士逝世。 电子科大供图
【/h/】陈星碧，1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1947-1952年就读于同济大学电气工程系，先后在厦门大学、东南大学、成都电信工程学院(现电子科技大学)工作。1999年，他当选为中国科学院院士，2019年，他当选为国际电气电子工程师协会终身会员。
陈星碧是中国功率半导体领域的领军人物和大师。发表学术论文200余篇，获得中美两国专利40余项。他是世界上第一个提出超结击穿电压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的硅极限，被国际学术界誉为高压功率器件的新里程碑。本发明专利已成功转让并产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。
【/h/】陈星碧获得多项荣誉，包括中国国家发明奖、科技进步奖，13项省部级奖励。2015年，陈星碧获得了ieee ispsd授予的最高荣誉——国际功率半导体先锋奖，成为亚太地区第一位获得这一荣誉的科学家。陈星碧于2018年入选ieee ispsd首届名人堂，成为首位入选名人堂的中国科学家。(结束)
